Valitse maa tai alue.

Koti
Tuotteet
MMIX1T132N50P3

MMIX1T132N50P3

IXYS
Kuva voi olla edustus.
Katso tuotetiedot teknisistä tiedoista.
IXYSIXYS
Osa numero:
MMIX1T132N50P3
Valmistaja / merkki:
IXYS / Littelfuse
Tuotteen Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
lomakkeissa:
1.MMIX1T132N50P3.pdf2.MMIX1T132N50P3.pdf
Varaston kunto:
Out stock
Lähetys:
Hong Kong
Lähetysreitti:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PYYDä TARJOUS

Täytä kaikki vaaditut kentät yhteystiedoillasi.Napsauta " LÄHETÄ RFQ "
otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: info@Micro-Semiconductors.com

Out stock Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

  • 1 pcs
    $22.339
Tavoitehinta(USD):
Määrä:
Anna meille tavoitehintasi, jos näytetyt määrät ovat suurempia.
Kaikki yhteensä: $0.00
MMIX1T132N50P3
Yrityksen nimi
Yhteyshenkilön nimi
Sähköposti
Viesti
IXYS

MMIX1T132N50P3: n tekniset tiedot

IXYSIXYS
(Sulje automaattisesti napsauttamalla tyhjää kohtaa)
Osa numero MMIX1T132N50P3 Valmistaja IXYS / Littelfuse
Kuvaus MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3 Lyijytön tila / RoHS-tila
Saatavana oleva määrä Out stock Tietolomake 1.MMIX1T132N50P3.pdf2.MMIX1T132N50P3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Vgs (Max) ±30V
teknologia MOSFET (Metal Oxide) Toimittaja Device Package Polar3™
Sarja Polar™ RDS (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 66A, 10V
Tehonkulutus (Max) 520W (Tc) Pakkaus / Case 24-PowerSMD, 22 Leads
Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ) Asennustyyppi Surface Mount
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 18600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 10 V
FET tyyppi N-Channel FET Ominaisuus -
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V Valua lähde jännite (Vdss) 500 V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)  
Sammuttaa

Liittyvät tuotteet

Liittyvät tagit

Kuumaa tietoa