AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Osa numero | FQA10N80_F109 | Valmistaja | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Kuvaus | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P | Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 5750 pcs stock | Tietolomake | FQA10N80_F109.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | Toimittaja Device Package | TO-3P |
| Sarja | QFET® | RDS (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 240W (Tc) | Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-3P-3, SC-65-3 | Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 800V | Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 800V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Tc) | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Lähetysmaksu riippuu vyöhykkeestä ja maasta alkaen 35 dollaria. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Lähetysmaksu riippuu vyöhykkeestä ja maasta alkaen 35 dollaria. |
| UPS | www.UPS.com | Lähetysmaksu riippuu vyöhykkeestä ja maasta alkaen 35 dollaria. |
| TNT | www.TNT.com | Lähetysmaksu riippuu vyöhykkeestä ja maasta alkaen 35 dollaria. |
